对于高功率的半导体产业，目前已有许多特殊陶瓷基板材料的需求，如陶瓷基板材料有AlN氮化铝及Si₃N₄氮化矽材料。α-Al₂O₃氧化铝为相当常见的结构陶瓷材料，但热传导率仅 20~30 W/m·K，且热膨胀系数较高并不适用于发热量极高的高功率元件环境；取而代之的就有AlN氮化铝及Si₃N₄氮化矽材料：AlN氮化铝的热传导系数可以高达150~230 W/m·K，并且热膨胀系数为 4.6×10^-6/K，有接近第三代半导体材料SiC与GaN的热膨胀系数的优点，然而其抗折强度 350 MPa及破断韧性 2.7 MPa·m^1/2，导致可靠度的表现较低，故AlN氮化铝机械强度是需要改善及发展的方向；Si₃N₄氮化矽材料具有优异的抗折强度 600~800 MPa及破断韧性 6.0~8.0 MPa·m^1/2，故在冷热冲击循环测试条件下，具有5,000次以上的优异可靠度表现。

   氮化矽陶瓷材料具有热稳定性高、抗氧化能力强以及产品尺寸精确度高等优良性能。由于氮化矽是键强高的共价化合物，并在空气中能形成氧化物保护膜，所以还具有良好的化学稳定性，1200℃以下不被氧化，1200~1600℃生成保护膜可防止进一步氧化，并且不被铝、铅、锡、银、黄铜、镍等很多种熔融金属或合金所浸润或腐蚀，但能被镁、镍铬合金、不锈钢等熔液所腐蚀。
               氮化矽陶瓷材料可用于高温工程的部件，冶金工业等方面的高级耐火材料，化工工业中抗腐蚀部件和密封部件，机械加工工业的刀具和刃具等。由于氮化矽与碳化矽、氧化铝、二氧化钍、氮化硼等能形成很强的结合，所以可用作结合材料，以不同配比进行改性。
                 此外，氮化矽还能应用到太阳能电池中。用PECVD法镀氮化矽膜后，不但能作为减反射膜可减少入射光的反射，而且，在氮化矽薄膜的沉积过程中，反应产物氢原子进入氮化矽薄膜以及矽片内，起到了钝化缺陷的作用。这里的氮化矽氮矽原子数目比并不是严格的4:3，而是根据工艺条件的不同而在一定范围内波动，不同的原子比例对应的薄膜的物理性质有所不同。