1. 氮化铝陶瓷是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要材料。
2. 氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模积体电路散 
        热基板和封装材料。
3. 氮化铝硬度高，超过传统氧化铝，是新型的耐磨陶瓷材料，但由于造价高，只能用于磨损严重的部位.
4. 利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性
        能可作红外线视窗。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模积体电路基片等。
5. 氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。
      利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化敏瓷在
      电子工业中广泛套用。